晶耀儀表 YDK322-IB電容式差壓變送器

數(shù)量(臺(tái)) 價(jià)格
997 2250.00元/臺(tái)
  • 最小起訂: 1臺(tái)
  • 發(fā)貨地址: 安徽 滁州市
  • 發(fā)布日期:2020-12-31
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天長市晶耀儀表有限公司

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  • 營業(yè)執(zhí)照:已審核 營業(yè)執(zhí)照
  • 經(jīng)營模式: 生產(chǎn)加工-私營獨(dú)資企業(yè)
  • 所在地區(qū):安徽 滁州市
  • 家家通積分:0分

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詳細(xì)參數(shù)
品牌晶耀型號(hào)YDK322-IB
精度等級(jí)一級(jí)加工定制
產(chǎn)地其他

產(chǎn)品詳情

YDK322-IB電容式差壓變送器,可對各種容器進(jìn)行精密的液位和密度測量。通過管道法蘭將變送器固定于容器上,適合于測量高溫、高黏度易沉淀或強(qiáng)腐蝕介質(zhì)。液位膜片組件有平面式和插入式;法蘭口徑規(guī)格:3英寸和4英寸;壓力等級(jí):150Ib和300Ib。根據(jù)測量介質(zhì)的種類可選用316不銹鋼、哈氏合金或鉭膜片。
產(chǎn)品用途:適合于測量高溫、高黏度易沉淀或強(qiáng)腐蝕介質(zhì)。
YDK322-IB電容式差壓變送器,可對各種容器進(jìn)行精密的液位和密度測量。通過管道法蘭將變送器固定于容器上,適合于測量高溫、高黏度易沉淀或強(qiáng)腐蝕介質(zhì)。液位膜片組件有平面式和插入式;法蘭口徑規(guī)格:3英寸和4英寸;壓力等級(jí):150Ib和300Ib。根據(jù)測量介質(zhì)的種類可選用316不銹鋼、哈氏合金或鉭膜片。

技術(shù)參數(shù)
輸出:模擬量:二線制4~20mADC
數(shù)字量:兩線制4~20mADC并疊加符合HART協(xié)議的過程變量數(shù)字信號(hào)。
電源:供電電壓12.5~45VDC
負(fù)載限制:回路最大負(fù)載電阻Rmax取決于供電電壓。HART通訊要求負(fù)載電阻不低于250Ω , 不高于600Ω
通訊距離:最大通訊距離為1.5Km,多站通訊最多可接15臺(tái)智能變送器。
輸出顯示:四位制數(shù)字顯示、五位LCD液晶顯示、指針式。
防爆形式:本安型:ExiaII CT5 隔爆型
零點(diǎn)遷移范圍:零點(diǎn)可隨意正遷移或負(fù)遷移,但不得使設(shè)定的測量范圍上下限和量程超出極限值。
溫度范圍:環(huán)境溫度:-40~85℃ (選用LCD指示表時(shí)為-20~70℃)
測量介質(zhì)溫度:-40~104℃
靜壓和單向超壓范圍:150Ib法蘭:3.45Kpa(絕壓)~1.89MPa(37℃)
                    300Ib法蘭:3.45Kpa(絕壓)~4.9MPa(37℃)
相對濕度:5~98%RH
啟動(dòng)時(shí)間:5秒內(nèi)啟動(dòng)
容量變化量:小于4px3
阻尼調(diào)整:時(shí)間常熟0.20~25秒
故障報(bào)警:如傳感器或電路出現(xiàn)故障,自動(dòng)診斷功能將自動(dòng)輸出3.9或21.0mA組態(tài)保護(hù)。為了避免變送器的組態(tài)數(shù)據(jù)被隨意改動(dòng),可通過軟件或保護(hù)開關(guān)鎖定存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。


參數(shù)指標(biāo)
參考條件:零點(diǎn)為下限且未遷移,溫度為25℃,大氣壓,24VDC電源,硅油,隔離膜片316不銹鋼,數(shù)據(jù)整定范圍與量程上下限值相同。
精度:所調(diào)量程的±0.1%所調(diào)量程不小于0.1URL.
所調(diào)量程的±[0.05+(0.005URL/量程)]%
所調(diào)量程不大于0.1URL,不小于0.025URL
所調(diào)量程的±[0.01+(0.006URL/量程)]%
所調(diào)量程不大于0.025URL,不小于0.01URL.精度指示已包含線性、滯后和重復(fù)性的影響。
穩(wěn)定性:±0.1%URL/年
溫度效應(yīng):±(0.05%URL+0.15%量程+200Pa)/20℃
靜壓影響:零點(diǎn)誤差為0.1URL/6.9MPa
振動(dòng)影響:在任何軸向可經(jīng)受頻率達(dá)200Hz的振動(dòng),引起的誤差為±0.05%URL
電源影響:小于所調(diào)量程的0.005%/V
負(fù)載影響:無負(fù)載影響
安裝位置影響:大致250Pa零點(diǎn)遷移,可通過校準(zhǔn)消除,無量程效應(yīng)。
射頻干擾影響:在頻率30-1000MHz及最大場強(qiáng)10V/m的條件下,引起漂移為所調(diào)量程的±0.1%

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