產(chǎn)品詳情
SCONINC變換器SCONI-1000L-121Y,出售大秦 DSRC-7E-1DAEYEON轉(zhuǎn)換器DAEYEON CONTROL&INSTRUMENT CO.,LTD 電壓變送器 電壓轉(zhuǎn)換器 電流變送器 電流轉(zhuǎn)換器
DAEYEON轉(zhuǎn)換器DY-RTD-A1CNA DY-RTD-A2CNA DY-RTD-A3CNA DY-RTD-A4CNA DY-RTD-A5CNA DY-RTD-A6CNA DY-RTD-NACNA DY-RTD-ABCNA DY-RTD-ACCNA
DAEYEON轉(zhuǎn)換器DY-RTD-A1DNA DY-RTD-A2DNA DY-RTD-A3DNA DY-RTD-A4DNA DY-RTD-A5DNA DY-RTD-A6DNA DY-RTD-NADNA DY-RTD-ABDNA DY-RTD-ACDNA
DAEYEON轉(zhuǎn)換器DY-RTD-A11AB DY-RTD-A21AB DY-RTD-A31AB DY-RTD-A41AB DY-RTD-A51AB DY-RTD-A61AB DY-RTD-AA1AB DY-RTD-AB1AB DY-RTD-AC1AB
DAEYEON轉(zhuǎn)換器DY-RTD-A12AB DY-RTD-A22AB DY-RTD-A32AB DY-RTD-A42AB DY-RTD-A52AB DY-RTD-A62AB DY-RTD-AB2AB DY-RTD-AB2AB DY-RTD-AC2AB
DAEYEON轉(zhuǎn)換器DY-RTD-A13AB DY-RTD-A23AB DY-RTD-A33AB DY-RTD-A43AB DY-RTD-A53AB DY-RTD-A63AB DY-RTD-AB3AB DY-RTD-AB3AB DY-RTD-AC3AB
在10%誤差曲線上確定電流互感器的允許二次負(fù)荷⑶按照對電流互感器二次負(fù)荷嚴(yán)重的短路類型，計算電流互感器的實際二次負(fù)荷⑷比較實際二次負(fù)荷與允許二次負(fù)荷。如實際二次負(fù)荷小于允許二次負(fù)荷，表示電流互感器的誤差不超過10%誤差：1）增大連接導(dǎo)線截面或縮短連接導(dǎo)線長度，以減小實際二次負(fù)荷2）選擇比較大的電流互感器，減小一次電流倍數(shù)，增大允許二次負(fù)荷3）將電流互感器的二次繞組串聯(lián)起來，使允許二次負(fù)荷增大一倍。動、熱度需校驗電流互感器的動度和熱度[9]，廠的產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)中都給出了動倍數(shù)Kes和熱倍數(shù)Kt，因此按下列公式分別校驗動和熱定度即可。1）動度校驗Kes×I1N≥iSh2）熱度校驗（KtI1n)2t≥I⑶∞tima式中。（二）按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。（三）按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種?？煽毓栝_關(guān)可控硅開關(guān)（四）按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、率可控硅和小功率可控硅三種。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。（五）按關(guān)斷速度分類：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。（六）過零觸發(fā)-一般是調(diào)功，即當(dāng)正弦交流電交流電電壓相位過零點觸發(fā)。
DAEYEON轉(zhuǎn)換器DY-RTD-A14AB DY-RTD-A24AB DY-RTD-A34AB DY-RTD-A44AB DY-RTD-A54AB DY-RTD-A64AB DY-RTD-AB4AB DY-RTD-AB4AB DY-RTD-AAB
DAEYEON轉(zhuǎn)換器DY-RTD-A15AB DY-RTD-A25AB DY-RTD-A35AB DY-RTD-A45AB DY-RTD-A55AB DY-RTD-A65AB DY-RTD-AB5AB DY-RTD-AB5AB DY-RTD-AC5AB
DAEYEON轉(zhuǎn)換器DY-RTD-A16AB DY-RTD-A26AB DY-RTD-A36AB DY-RTD-A46AB DY-RTD-A56AB DY-RTD-A66AB DY-RTD-AB6AB DY-RTD-AB6AB DY-RTD-AC6AB
DAEYEON轉(zhuǎn)換器DY-RTD-A1AAB DY-RTD-A2AAB DY-RTD-A3AAB DY-RTD-A4AAB DY-RTD-A5AAB DY-RTD-A6AAB DY-RTD-AAAAB DY-RTD-ABAAB DY-RTD-ACAAB
DAEYEON轉(zhuǎn)換器DY-RTD-A1BAB DY-RTD-A2BAB DY-RTD-A3BAB DY-RTD-A4BAB DY-RTD-A5BAB DY-RTD-A6BAB DY-RTD-ABBAB DY-RTD-ABBAB DY-RTD-ACBAB
DAEYEON轉(zhuǎn)換器DY-RTD-A1CAB DY-RTD-A2CAB DY-RTD-A3CAB DY-RTD-A4CAB DY-RTD-A5CAB DY-RTD-A6CAB DY-RTD-ABCAB DY-RTD-ABCAB DY-RTD-ACCAB
走紙速度為10mm/h到1990mm/h。10．功能:·提供六組繼電器接點輸出，由用戶任意組合使用·每個通道均可選擇上限、下限、差值上限、差值下限·每個通道的回差可設(shè)定，繼電器時有指示燈提示·繼電器觸點容量：24VDC,3A；220VAC,3A11．通訊：可提供RS232C或RS485通訊接口【此項為擴展功能,定貨時須注明】12．模擬量輸出：可提供兩路4~20mA模擬量傳送輸出【此項為擴展功能,定貨時須注明】13．采樣周期:0.6S14．?dāng)?shù)字顯示及精度:±0.2%F?S15．趨勢記錄精度:±0.2%「兩幅」16．?dāng)?shù)字記錄精度:±0.2%F?S17．輸入阻抗:大于10MW〖注：進行電流測量時?；蚩刹捎酶咚倏煽毓?晶閘管)。關(guān)于連續(xù)峰值開路電壓VDRM在電源不正常的情況下，可控硅(晶閘管)兩端的電壓會超過連續(xù)峰值開路電壓VDRM的值，此時可控硅(晶閘管)的漏電流增大并擊穿導(dǎo)通。如果負(fù)載能允許很大的浪涌電流，那么硅片上局部的電流密度就很高，使這一小部分先導(dǎo)通。芯片燒毀或損壞。另外白熾燈，容性負(fù)載或短路保護電路會產(chǎn)生較高的浪涌電流，這時可外加濾波器和鉗位電路來防止尖峰（毛刺）電壓加到雙向可控硅(晶閘管)上[2]。
DAEYEON轉(zhuǎn)換器DY-RTD-A1DAB DY-RTD-A2DAB DY-RTD-A3DAB DY-RTD-A4DAB DY-RTD-A5DAB DY-RTD-A6DAB DY-RTD-ABDAB DY-RTD-ABDAB DY-RTD-ACDAB
DAEYEON轉(zhuǎn)換器DY-RTD-A11NB DY-RTD-A21NB DY-RTD-A31NB DY-RTD-A41NB DY-RTD-A51NB DY-RTD-A61NB DY-RTD-AA1NB DY-RTD-AB1NB DY-RTD-AC1NB
