瀾智 ZD25WQ16BUIGR 貼片USON-8 NOR FLASH存儲16Mbit IC

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  • 所在地區(qū):廣東 深圳市
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詳細參數(shù)
品牌瀾智型號ZD25WQ16BUIGR
封裝形式USON導電類型雙極型
封裝外形扁平型集成度小規(guī)模(<50)
加工定制

產(chǎn)品詳情

ZD25WQ16B是一款串行接口閃存器件,設(shè)計用于各種大批量基于消費者的應(yīng)用,其中程序代碼從閃存隱藏到嵌入式外部RAM中執(zhí)行。
該設(shè)備靈活的擦除架構(gòu),其頁面擦除粒度,也是理想的數(shù)據(jù)存儲,消除了額外的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的需要。設(shè)備的擦除塊大小已經(jīng)過優(yōu)化,以滿足當今代碼和數(shù)據(jù)存儲應(yīng)用程序的需求。
通過優(yōu)化擦除塊的大小,可以更有效地使用內(nèi)存空間。由于某些代碼模塊和數(shù)據(jù)存儲段必須單獨駐留在它們自己的擦除區(qū)域中,因此可以大大減少大扇區(qū)和大塊擦除閃存設(shè)備所浪費和未使用的內(nèi)存空間。
這種增加的內(nèi)存空間效率允許添加額外的代碼例程和數(shù)據(jù)存儲段,同時仍然保持相同的整體設(shè)備密度。該設(shè)備還包含一個額外的3*512字節(jié)安全寄存器,具有OTP鎖(一次性可編程),
可用于諸如唯一設(shè)備序列化,系統(tǒng)級電子序列號(ESN)存儲,鎖定密鑰存儲等目的。該器件專為許多不同系統(tǒng)設(shè)計,支持讀取,編程和擦除操作,電源電壓范圍為1.65V至3.6V。編程和擦除不需要單獨的電壓..

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