產(chǎn)品詳情
Gate turn-off Thyristor
5SGA 25H2501
VDRM = 2500 V
ITGQM = 2500 A
ITSM = 16 kA
VT0 = 1.66 V
rT = 0.57 mΩ
VDClin = 1400 V
自由漂浮硅技術(shù)
低導通損耗和開關(guān)損耗
環(huán)形閘極
工業(yè)標準外殼
宇宙輻射耐受等級
門極可關(guān)斷晶閘管（GTO）的生產(chǎn)始于19世紀80年代中期。GTO是晶閘管的其中一種，可以通過門極施加反向電流使其關(guān)斷。GTO 的生產(chǎn)始于 20 世紀 80 年代中期。GTO 是一種晶閘管，向門級反向施加電流便可關(guān)斷，反之則導通。
GTO 經(jīng)過優(yōu)化，傳導損耗很低。對于大多數(shù)應(yīng)用，典型的開關(guān)頻率在 200 - 500 赫茲范圍內(nèi)。GTO 本質(zhì)上是相對較慢的開關(guān)。從開到關(guān)的典型轉(zhuǎn)換時間在 10 - 30 微秒范圍內(nèi)，反之亦然。GTO 的導通和關(guān)斷都需要稱為“緩沖器”的保護網(wǎng)絡(luò)。導通緩沖器電路本質(zhì)上是電感器，可以限制電流上升的速率。至于關(guān)斷，GTO 需要一個限制電壓上升速率的器件，從本質(zhì)上來說就是電容器。日立能源所有的 GTO 都是壓接封裝器件。以大力將 GTO 壓接到散熱器上，而散熱器也當作電源端子的電觸點。
5SGA 25H2501
VDRM = 2500 V
ITGQM = 2500 A
ITSM = 16 kA
VT0 = 1.66 V
rT = 0.57 mΩ
VDClin = 1400 V
自由漂浮硅技術(shù)
低導通損耗和開關(guān)損耗
環(huán)形閘極
工業(yè)標準外殼
宇宙輻射耐受等級
門極可關(guān)斷晶閘管（GTO）的生產(chǎn)始于19世紀80年代中期。GTO是晶閘管的其中一種，可以通過門極施加反向電流使其關(guān)斷。GTO 的生產(chǎn)始于 20 世紀 80 年代中期。GTO 是一種晶閘管，向門級反向施加電流便可關(guān)斷，反之則導通。
GTO 經(jīng)過優(yōu)化，傳導損耗很低。對于大多數(shù)應(yīng)用，典型的開關(guān)頻率在 200 - 500 赫茲范圍內(nèi)。GTO 本質(zhì)上是相對較慢的開關(guān)。從開到關(guān)的典型轉(zhuǎn)換時間在 10 - 30 微秒范圍內(nèi)，反之亦然。GTO 的導通和關(guān)斷都需要稱為“緩沖器”的保護網(wǎng)絡(luò)。導通緩沖器電路本質(zhì)上是電感器，可以限制電流上升的速率。至于關(guān)斷，GTO 需要一個限制電壓上升速率的器件，從本質(zhì)上來說就是電容器。日立能源所有的 GTO 都是壓接封裝器件。以大力將 GTO 壓接到散熱器上，而散熱器也當作電源端子的電觸點。
